IDF的最后一天就是Intel的未来展望秀，CTO Justin Rattner同时宣布Intel将与美光联合开发一种新的DRAM技术，命名为“Hybrid Memory Cube”（HMC），针对未来在CPU发展进程中出现的内存带宽瓶颈给出了一种解决方案。十年前，我们用DDR SDRAM给出了一种相对RDRAM更经济的方案，使得内存位宽提升到128bit，但DDR内存的频率不可能永无止境地提高，所以此方法提高内存带宽将越来越困难。Intel和美光（Micron）的点子则是将多个DRAM芯片堆叠在一起，通过一个逻辑处理层（CPU处理意义上的，不是DRAM制造层面）用来做缓冲和路由，使得DRAM的总带宽得到极大提高，功耗几乎保持不变。此逻辑处理层是这种“夹心饼干”式内存的关键，解决了堆叠多层芯片一个很重要的问题：如何将针脚“连”至每层。这种逻辑路由层混合DRAM的技术自然得名为“Hybrid Memory Cube”。
两家公司合作开发的HMC技术目前已经能做到和低电压DDR3对比，保持几乎相同能耗的情况下带宽达到1Tbit／s以上，效率是原来的7倍。但目前最大的问题是生产封装方面，不过相信业界真到有需要时自然会拿出解决办法。
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